3月2日，湖北省科技厅党组书记、副厅长李涛，副厅长毛凤藻一行专程到武汉光电国家实验室（筹）考察LED联合研发基地的建设情况。

　　副校长刘伟、科技处常务副处长万青云、校长助理、武汉光电国家实验室（筹）总支书记林林、副主任黄德修接待了来访领导，并在实验室D302会议室就LED联合研发基地的建设情况向省科技厅领导进行了汇报。

　　 在汇报会上，刘伟首先指出：省科技厅长期以来对华中科技大学的工作非常关注，学校也把服务地方经济作为主要办学任务之一。＂十一五＂期间学校的办学思路主要为＂应用领先、基础突破、协调发展＂，这一办学宗旨正是为了使学校能更好地切入到、延伸到地方经济的建设上去。光电国家实验室在LED项目上做了很多准备工作，人力、物力、财力都有很大的投入 。按照产业化的思路和模式，经过短短半年的筹备已基本具备了研发及产业化的实力，相信在省科技厅的大力支持下，实验室将会在这一领域取得突破，成为一个新的亮点。

　　实验室合作伙伴武汉迪源光电科技有限公司总经理、华中科技大学兼职教授董志江随后做了＂大功率、高亮度LED功率芯片＂的报告。董志江从项目背景、LED研发和产业化平台、研发和产业化团队建设及工作进展四个方面进行了汇报。董志江强调，LED联合研发平台的建立开辟了“产、学、研”紧密合作的成功模式，为武汉建设国家半导体照明产业基地奠定了基础，标志着“武汉中国光谷”在半导体照明领域的突破。

　　实验室主任助理、激光加工国家工程研究中心主任朱晓教授也做了“湖北省激光技术及产业化发展”的报告，汇报了武汉激光产业发展现状及所面临的机遇和挑战。

　　汇报会完毕之后，省科技厅领导实地考察了LED联合研发基地。在考察过程中，省科技厅领导不时地就有关问题进行询问，并指出：武汉光电国家实验室（筹）LED联合研发基地是一个“产、学、研”相结合非常成功的模式，充分体现了武汉光电国家实验室（筹）是“武汉中国光谷”科技创新源头，对"武汉中国光谷"光电产业的发展起到了促进作用，提升了我国LED技术水平，为推进我国半导体照明工程的发展作出了重大贡献，省科技厅将大力支持该基地的建设。